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A série MYS10 é um sistema de processamento de plasma em linha totalmente automatizado desenvolvido para aplicações em setores como semicondutores, eletrônicos, SMT, optoeletrônica e tecnologia médica.
• Sistema de plasma de argônio com pressão atmosférica
• Processamento de plasma em lote em linha com 100 mm de largura; oferece eficiência 2 a 5 vezes maior e custos operacionais 30% mais baixos em comparação com métodos tradicionais
• Plasma 100% neutro; seguro e delicado com componentes eletrônicos sensíveis – não gera bombardeio de plasma, eletricidade estática, faíscas, arcos, poeira, calor elevado, ondulações superficiais ou radiação UV, garantindo zero danos aos produtos
• Plataforma de plasma compacta que oferece alta flexibilidade e compatibilidade
• Processos químicos versáteis: processo O2 para remoção de contaminantes orgânicos; Processo H2 para remoção de óxidos metálicos e ativação de superfícies de produtos
• Nenhuma geração de contaminantes particulados ou líquidos
| Especificações básicas | MEU10 |
| Requisitos de energia | CA 200–240 V, 4,4 kW, 20 A, 50/60 Hz |
| Requisitos de pressão de ar | 90psi (6bar) |
| Dimensões | 790x1200x1880mm |
| Peso | 800kg |
| Padrões de Certificação | CE, SEMI S2 |
| Precisão de posicionamento | XY: ±30 µm @ 3σ; Z: ±10 µm @ 3σ |
| Repetibilidade do eixo XYZ | XY: ±15 µm @ 3σ; Z: ±5 µm @ 3σ |
| Velocidade máxima | 1000mm/s (XY) |
| Aceleração | 1,0g |
| Sistema de acionamento | Servo CA |
| Especificações da plataforma de trabalho | |
| Tipo de trilha | Cinto |
| Capacidade de carga ferroviária | 3kg |
| Faixa de espessura do substrato (sem suporte) | 0,5–6 mm |
| Curso no eixo Z | 100 milímetros |
| Máx. altura do componente (lado superior) | 26mm |
| Máx. altura do componente (lado inferior) | 23mm |
| Protocolo de comunicação | SMEMA |
| Faixa de trabalho | |
| Área de tratamento de plasma (L×P) | 350–475 milímetros |
| Ângulo de contato com a água (WCA) após tratamento com plasma | WCA <10° (wafer de silício) WCA < 20° (não metálico) |
| Método de tratamento de plasma | Processo O2 para remoção de contaminantes orgânicos Processo H2 para remoção de óxido metálico |
| Requisitos do sistema de plasma | |
| Potência RF | 600 W a 27,12 MHz |
| Gás Plasma Principal | Argônio |
| Gás de Processo | O2, N2 ou H2 |
| Faixa de pressão de fornecimento de gás | 40–100 psi (0,3–0,7 MPa) |
Endereço
5º andar, Edifício 2, nº 182, Chang'an Xi'an Road, cidade de Chang'an, Dongguan, província de Guangdong, China.
Tel
