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O MYS10SD é um sistema de processamento de plasma em linha totalmente automatizado desenvolvido para aplicações em setores como Mini LED, eletrônica, SMT, optoeletrônica e tecnologia médica.
• Sistema de plasma de área ampla com argônio e pressão atmosférica
• Processamento de plasma em lote em linha com 100 mm de largura; oferece eficiência 2 a 5 vezes maior e custos operacionais 30% mais baixos em comparação com métodos tradicionais
• A temperatura da superfície do produto permanece abaixo de 45°C durante o processamento
• Inicialização instantânea sem necessidade de tempo de aquecimento, economizando tempo de produção
• Capaz de processar uma ampla gama de produtos; suporta comutação flexível entre cabeçotes de plasma de vários tamanhos
• Plataforma de plasma altamente flexível, compatível e econômica
• Capaz de limpeza direcionada em áreas específicas do produto
| Especificações básicas | MYS10SD |
| Requisitos de energia | CA 200 ~ 240 V, 3,2 kW, 15 A, 50 Hz |
| Requisitos de pressão de ar | 90psi (6bar) |
| Dimensões | 990*1300*1800mm |
| Peso | 680kg |
| Padrões de Certificação | CE |
| Precisão de posicionamento | XYZ: ±50µm @ 3σ |
| Repetibilidade do eixo XYZ | XYZ: ±25µm @ 3σ |
| Velocidade máxima | 600 mm/s (XY) |
| Aceleração | 0,6g |
| Sistema de acionamento | Servo CA |
| Especificações da plataforma de trabalho | |
| Tipo de transportador | Cinto |
| Capacidade de carga do transportador | 3kg |
| Faixa de espessura do substrato (sem transportador) | |
| 0,5–10 mm | |
| Curso no eixo Z | 60mm |
| Máx. altura do componente (lado superior) | 100 milímetros |
| Máx. altura do componente (lado inferior) | 100 milímetros |
| Protocolo de comunicação | SMEMA |
| Faixa de trabalho | |
| Área de tratamento de plasma (L × P) | 475–480 milímetros |
| Ângulo de contato pós-tratamento (WCA) | WCA <10° (wafer de silício) WCA < 20° (não metálico) |
| Método de tratamento de plasma | Processo Ar+O2 para remoção de contaminantes orgânicos |
| Requisitos do sistema de plasma | |
| Potência de RF | 250 W a 13,56 MHz |
| Gás plasma principal | Argônio |
| Gás de processo | O2 |
| Faixa de pressão de fornecimento de gás | 40–120 psi (0,3–0,8 MPa) |
Endereço
5º andar, Edifício 2, nº 182, Chang'an Xi'an Road, cidade de Chang'an, Dongguan, província de Guangdong, China.
Tel
