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O sistema de plasma MYW10 oferece um processo de tratamento de superfície de wafer altamente flexível e de alto rendimento.
• Sistema de plasma de argônio com pressão atmosférica
• Processamento em lote de plasma em linha com 100 mm de largura; oferece eficiência 2 a 5 vezes maior e custos operacionais 30% mais baixos em comparação com métodos tradicionais
• Plasma 100% neutro; seguro e delicado com componentes eletrônicos sensíveis - sem bombardeio de plasma, eletricidade estática, faíscas, arcos, poeira, alto calor, ondulações superficiais ou radiação UV, garantindo zero danos ao produto
• Processos químicos versáteis: processo O2 para remoção de contaminantes orgânicos; Processo H2 para remoção de óxidos metálicos e ativação de superfícies de produtos
• Não causa contaminação por partículas ou alterações na rugosidade da superfície do wafer
• Compatível com a produção de wafer e de moldura de fita, permitindo a troca rápida entre os dois
• Atende aos padrões de sala limpa Classe 10 e SEMI
| Parâmetros Básicos | MYW10 |
| Requisitos de energia | CA 380 V, 13 kW, 20 A, 50/60 Hz |
| Requisitos de pressão de ar | 90psi (6bar) |
| Dimensões | 2.000 x 2.800 x 2.200 milímetros |
| Peso | 2.200kg |
| Padrões de Certificação | SEMI S2/S6/S8 |
| Precisão de posicionamento | XY: ±20 µm @ 3σ; Z: ±10 µm @ 3σ |
| Repetibilidade do eixo XYZ | XY: ±10 µm @ 3σ; Z: ±5 µm @ 3σ |
| Velocidade máxima | 1000mm/s (XY) |
| Aceleração | 1,0g |
| Sistema de acionamento | Servo CA |
| Especificações da plataforma de trabalho | |
| Método de carga/descarga | OHT + Porta de Carga + Braço Robótico |
| Carga útil do braço robótico | 3kg |
| Tamanho de wafer compatível | 12 polegadas (300mm) |
| Sistema operacional de software | Janelas 10 |
| Viagem X/Y | 400mm / 500mm |
| Viagem no eixo Z | 20mm |
| Protocolo de comunicação | SEC/GEM |
| Faixa operacional | |
| Área de Tratamento de Plasma (L×P) | 300×300mm |
| Ângulo de contato com a água pós-tratamento (WCA) | WCA <10° (wafer de silício) |
| Método de tratamento de plasma | Processo O2 para remoção de contaminantes orgânicos Processo H2 para remoção de óxido metálico |
| Requisitos do sistema de plasma | |
| Potência RF | 600 W a 27,12 MHz |
| Gás Plasma Principal | Argônio |
| Gás de Processo | O2, N2 ou H2 |
| Faixa de pressão de fornecimento de gás | 40–100 psi (0,3–0,7 MPa) |
Endereço
5º andar, Edifício 2, nº 182, Chang'an Xi'an Road, cidade de Chang'an, Dongguan, província de Guangdong, China.
Tel
