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A série MYS10iL é um sistema de processamento de plasma em linha totalmente automatizado desenvolvido para aplicações em vários setores, incluindo semicondutores, eletrônicos, SMT, optoeletrônica e tecnologia médica.
• Sistema de plasma de argônio com pressão atmosférica
• Processamento de plasma em lote em linha com 100 mm de largura; oferece eficiência 2 a 5 vezes maior e custos operacionais 30% mais baixos em comparação com métodos tradicionais
• Plasma 100% neutro; seguro e suave com componentes eletrônicos sensíveis – sem bombardeio de plasma, eletricidade estática, faíscas, arcos, poeira, altas temperaturas, ondulações superficiais ou radiação UV
• Processos químicos versáteis: processo O2 para remoção de contaminantes orgânicos; Processo H2 para remoção de óxidos metálicos e ativação de superfícies de produtos
• Não gera contaminação de partículas ou líquidos no produto
| Parâmetros Básicos | MYS10iL |
| Requisitos de energia | CA 200 ~ 240 V, 4,5 kW, 20 A, 50/60 Hz |
| Requisitos de pressão de ar | 90psi (6bar) |
| Dimensões | 1000 x 1500 x 1550 mm |
| Peso | 1050kg |
| Certificação | CE |
| Precisão de posicionamento | XY: ±50µm @ 3σ; Z: ±10µm @ 3σ |
| Repetibilidade do eixo XYZ | XY: ±25µm @ 3σ; Z: ±5µm @ 3σ |
| Velocidade máxima | 1000 mm/s (XY) |
| Aceleração | 1,0g |
| Sistema de acionamento | Servo CA |
| Parâmetros da plataforma de trabalho | |
| Tipo de transportador | Cinto |
| Capacidade de carga do transportador | 3kg |
| Faixa de espessura de PCB (sem portadora) | 0,5–6 mm |
| Viagem no eixo Z | 60mm |
| Máx. Altura do Componente (Lado Superior) | 45mm |
| Máx. Altura do Componente (Lado Inferior) | 23mm |
| Protocolo de comunicação | SMEMA |
| Faixa de trabalho | |
| Área de Tratamento de Plasma (L×P) | 550–760 mm |
| Ângulo de contato com a água (WCA) após tratamento com plasma | WCA <10° (wafer de silício) WCA <20° (materiais não metálicos) |
| Método de tratamento de plasma | Processo O2 para remoção de contaminantes orgânicos Processo H2 para remoção de óxido metálico |
| Requisitos de equipamento do sistema de plasma | |
| Potência de RF | 600 W a 27,12 MHz |
| Gás plasma principal | Argônio |
| Gás de processo | O2, N2 ou H2 |
| Faixa de pressão de fornecimento de gás | 40–100 psi (0,3–0,7 MPa) |
Endereço
5º andar, Edifício 2, nº 182, Chang'an Xi'an Road, cidade de Chang'an, Dongguan, província de Guangdong, China.
Tel
